0.0 / 5.0 - (0 Ratings)

BK/GLD-10

电子料号

BK/GLD-10-WX

制造商

NXP Semiconductors

制造商料号 BK/GLD-10

产品描述

10A 50VAC/VDC圆柱形盒式保险丝

库存

545 件全新原装现货

详细描述盒式保险丝，10A，50VAC/DC，需要支架；低压电路和设备的快速过电流保护。

查看全部 电气专用保险丝

数量
最小起订 1

购买与咨询

品质保证

365天质量保证 - 每件产品均有保障

90天退款或换货 - 有缺陷零件？无需担心

库存有限，立即订购 - 获得可靠零件无需担忧

全球运输与安全包装

全球配送 3-5 个工作日

100% ESD 防静电包装

每笔订单实时追踪

安全灵活的支付方式

信用卡、VISA、万事达卡、PayPal、西联汇款、电汇(T/T)等

所有支付加密确保安全

RFQ（询价请求）

在产品详情页或RFQ页面直接提交您的询价请求

我们的销售团队将在24小时内回复

支付方式

PayPal（推荐新客户使用）

信用卡

电汇(T/T) - 支持美元、欧元、港币及其他货币

重要提示

提交询价后您将收到确认邮件

没收到？请检查垃圾邮件文件夹并将 Info@WINSURE-Electronics.com 加入白名单

价格和库存可能变动，我们将重新确认您的订单

有问题？随时联系我们

运费

基本费用：70.00美元

实际费用可能因重量和目的地而异

运输方式

从香港通过 FedEx/DHL/UPS/TNT 发货

交货时间

库存商品：1-2天内可发货

运输时间：3-5个工作日（FedEx/DHL/UPS）

特殊要求？联系我们：Info@WINSURE-Electronics.com

请求报价 (明日发货)

*数量
最少 1

公司

联系人

电话

电子邮箱

收货地址

留言

(*) (*) 为必填项

我们将在24小时内回复您

用户评价

0.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)

No reviews yet

发布评价

* 产品评分

(一般/好/非常好，默认5星)

★★★★★

*评价内容

请输入您的评价内容。

请发表真实评论，请勿发布非法评论。

常见问题解答

在低功耗物联网设计中集成NT3H1101W0FHKH时，如何降低电源电压不稳定的风险？

当在1.7V附近的低功耗系统中使用NT3H1101W0FHKH时，通过添加具有严格负载调节的低静态电流LDO并在电源引脚2mm内放置100nF陶瓷电容器绕过VDD引脚，确保稳定的电源。射频场耦合期间的电压降可能会导致意外重置；考虑通过I2C接口监控电源完整性，并在发生通信错误时重新应用电源排序。此外，验证极端温度下的性能，特别是在冷启动时，尽管标称充电，电池电压骤降可能会降至1.7V以下。

NT3H1101W0FHKH是意法半导体ST25TB512-a在安全门禁系统中的可靠直接替代品吗？需要进行哪些设计修改？

由于存储器组织、I2C寻址和RF参数调谐方面的差异，NT3H1101W0FHKH不是ST25TB512-a的直接替代品。虽然两者都支持ISO 14443并在13.56MHz下运行，但NT3H1101W0FHKH使用不同的I2C从属地址方案，需要固件更新。此外，其动态锁定和密码保护功能在实现上有所不同——确保访问控制逻辑考虑到了这些变化。始终验证天线匹配网络兼容性，因为与基于ST的设计相比，NT3H1101W0FHKH可能需要对调谐电容器进行微调。

在接近95°C的汽车应用中，使用NT3H1101W0FHKH的暴露焊盘布线高密度PCB时，关键的热和机械考虑因素是什么？

对于接近95°C的汽车应用，NT3H1101W0FHKH外露焊盘的适当热管理至关重要。在连接到内部接地平面的焊盘下方使用热通孔阵列（至少4个通孔）来散热并避免局部焊点应力。确保焊料模板孔设计提供足够的浆料体积，以防止空隙，空隙会降低热循环下的导热性和长期可靠性。由于场激活期间可能存在EMI耦合，避免在IC下方放置敏感的模拟迹线。

NT3H1101W0FHKH的过时状态如何影响医疗器械制造商的长期可用性和建议的最后一次购买数量？

NT3H1101W0FHKH的过时状态意味着恩智浦半导体不再保证生产运行，增加了长生命周期医疗器械的供应链风险。为了确保合规性和连续性，根据整个产品生命周期的需求预测，包括服务和更换需求，评估上次购买的数量。考虑过渡到引脚和功能兼容的NT3H1201系列，该系列提供了扩展的可用性和增强的安全功能。现在，从特许经销商那里获得经过认证的库存，以降低过时后的假冒风险。

当部署在具有强射频干扰的混合信号工业环境中时，哪些EMI滤波和布局策略可以防止NT3H1101W0FHKH中的错误唤醒事件？

为了防止在嘈杂的工业环境中出现错误唤醒，在NT3H1101W0FHKH的射频输入迹线周围实施屏蔽天线布局，并在15mm以下保持迹线长度对称。在天线馈电端串联添加小铁氧体磁珠（例如，在100MHz下为600Ω），并使用0.5pF-1pF的调谐电容器和高Q陶瓷电介质（C0G/NP0）来提高选择性。使数字I2C线路远离天线路径，在坚固的接地平面上布线，并通过配置寄存器启用IC的内部场检测滞后，以提高抗噪性。

在接近1.7V最小阈值的低功率IoT设计中将NT3H1101W0FHKH集成后,我如何缓解供给电压不稳定的风险?

在1.7V附近的低功率系统中使用NT3H101W0FHKH时,通过增加低静流LDO,加紧负载调节,并绕过VDD披针,将100nF的陶瓷电容器置于供给披针2毫米内,确保稳定的供给. RF场耦合过程中的电压 droops可引起意想不到的重置;考虑通过I2C接口监测供给完整性,并在出现通信错误时重新应用动力测序. 此外,核实极端温度的性能,特别是在冷点开始时,电池电压槽尽管有标称电荷,仍可能推到1.7V以下.

NT3H101W0FHKH在安全出入控制系统中是否是STMicroelectronics ST25TB512-A的可靠落地替代,以及需要什么样的设计修改?

NT3H1101W0FHKH由于内存组织,I2C地址和RF参数调试的不同,不是ST25TB512-A的直投置替代. 虽然两者都支持ISO 14443,并在13.56MHz运行,但NT3H1101W0FHKH使用不同的I2C奴隶地址方案,需要固件更新. 此外,其动态锁定和密码保护功能在执行上各有不同——确保访问控制逻辑是造成这些变化的原因。总是验证天线匹配的网络兼容性,因为NT3H101W0FHKH与基于ST的设计相比可能需要微调电容器.

在将高密度多氯联苯与NT3H101W0FHKH在95°C附近的汽车应用中暴露的垫进行路由时,主要的热和机械考虑因素是什么?

对于接近95°C的汽车应用,NT3H1101W0FHKH暴露垫的适当的热管理至关重要。在与内部地面平面连接的垫下使用一个通过阵列的热(至少4次)来消散热量,避免局部的焊接电联应力. 确保变电器的速率孔径设计能够提供足够的粘贴体积,防止空置,在热循环下,热导率和长期可靠性可以降低。避免将敏感模拟痕迹放置在IC下,因为现场激活时可能发生EMI耦合.

NT3H101W0FHKH的过时状态如何影响长期可用性,并建议医疗器械制造商最后一次购买数量?

NT3H101W0FHKH的过时状态意味着NXP半导体不再保证生产运行,增加了长生命周期医疗器械的供应链风险. 就遵守和连续性而言,根据包括服务和更换需求在内的整个产品生命周期需求预测,评价最后购买数量。考虑向针形和功能兼容的NT3H1201系列过渡,提供扩展可用性和增强安全性能. 现在从特许经销商那里获得经认证的库存,以减少欺诈后的风险.

什么样的EMI过滤和布局策略可以防止NT3H101W0FHKH在使用RF强干扰的混合信号工业环境中部署的假醒事件?

为了防止在吵闹的工业环境中出现错误的醒悟,在NT3H101W0FHKH的RF输入痕迹周围实施有防守的地面环的屏蔽天线布局,保持痕量长度对称和15毫米以下. 与天线馈送相继添加小圆珠(如600堆@100MHz),并使用0.5pF–1pF调制带高Q陶瓷二电(C0G/NP0)的调制电容器来改进调制. 使数字I2C线远离天线路径,路线超过固态地面飞机,并且通过配置登记册使IC内部的场内探测歇斯底里,以提高噪声免疫力.