制造商 (2)
  • 微芯科技
  • onsemi
包装 (5)
  • -
  • 散装
  • 卷带(CT)和Digi-Reel®
  • 卷带与卷盘(TR)
  • 管子
操作温度 (3)
  • -55°C ~ 150°C (TJ)
  • -55°C ~ 175°C (TJ)
  • -65°C ~ 175°C (TJ)
挂载类型 (2)
  • 表面贴装
  • 通孔
软件包/ 大小写 (3)
  • 3-SMD,无引脚
  • 8-PowerWDFN
  • TO-220-3
系列 (5)
  • *
  • -
  • FRFET®, SuperFET® III
  • PowerTrench®
  • SuperFET® III
基本产品编号 (6)
  • FDPC8
  • NTP095
  • NTP110
  • NTP125
  • NTP13N
  • NTP150
RoHS 状态 (3)
  • 不适用
  • 符合RoHS3标准
  • 不符合RoHS标准
湿度敏感度(MSL) (2)
  • 1(无限制)
  • 不适用
现况 (2)
  • REACH 不受影响
  • 供应商未定义
欧洲化学品管制中心 (1)
  • EAR99
危险 (2)
  • 8541.29.0095
  • 8542.39.0001
标准软件包 (4)
  • 1,480
  • 100
  • 3,000
  • 50
产品状况 (3)
  • 活跃的
  • 不适用于新设计
  • 过时的
技术 (1)
  • MOSFET(金属氧化物场效应管)
权力 - 最大 (2)
  • 360 mW
  • 800mW(Ta),900mW(Ta)
配置 (1)
  • 2 N沟道(双)非对称
供应商设备包 (4)
  • Powerclip-33
  • TO-220
  • TO-220-3
  • UB
断电( Max) (6)
  • 1.98W(Ta),113.6W(Tc)
  • 171W(Tc)
  • 192W(Tc)
  • 240W(Tc)
  • 272W(Tc)
  • 64.7W(Tc)
FET 类型 (1)
  • N沟道
电压-分解(V(BR)GSS) (1)
  • 40 V
排水到源电压( Vds) (5)
  • 100 V
  • 24 V
  • 25V
  • 40 V
  • 650 V
当前 - 排水( Ids) @ Vds (Vgs=0) (1)
  • 30 mA @ 20 V
输入能力( Ciss) (Max) @ Vds (8)
  • 1240pF @ 13V,4335pF @ 13V
  • 16pF @ 20V
  • 1985 pF @ 400 V
  • 2200 pF @ 400 V
  • 2635 pF @ 400 V
  • 2930 pF @ 400 V
  • 3440 pF @ 20 V
  • 550 pF @ 25 V
抵抗 - RDS( On) (1)
  • 30欧姆
目前 - 连续排水( Id) @ 25°C (6)
  • 13A(Ta)
  • 13A(Ta)、20A(Tc)、27A(Ta)、60A(Tc)
  • 15.9A(Ta)
  • 24A(Tc)
  • 30A(Tc)
  • 36A(Tc)
驱动电压( Max Rds On, Min Rds On) (2)
  • 10V
  • 4.5V, 10V
(马克斯语) @ Id, Vgs (7)
  • 110毫欧姆 @ 15安培,10伏特
  • 125毫欧姆 @ 12安培,10伏特
  • 150毫欧姆 @ 12安培,10伏特
  • 165毫欧姆 @ 6.5安培,10伏
  • 4.6毫欧姆 @ 20安培,10伏
  • 6mOhm @ 13A, 10V,1.8mOhm @ 27A, 10V
  • 95毫欧姆 @ 18安培,10伏
Vgs(th)(马克斯) @ Id (7)
  • 2.2V @ 250µA,2.2V @ 1mA
  • 2V @ 250µA
  • 4V @ 2.1mA
  • 4V @ 250µA
  • 5V @ 540µA
  • 5V @ 740µA
  • 5V @ 860µA
门充电 (Qg)(最大) @ Vgs (7)
  • 19nC @ 10V,64nC @ 10V
  • 20 nC @ 10 V
  • 28 nC @ 4.5 V
  • 43 nC @ 10 V
  • 44 nC @ 10 V
  • 62 nC @ 10 V
  • 66 nC @ 10 V
Vgs (马克斯) (2)
  • ±20V
  • ±30V
FET 特性 (1)
  • -
10 相关产品
  • 1
料号
价格 (USD)
库存 规格书 RoHS 制造商 包装 操作温度 挂载类型 软件包/ 大小写 系列 基本产品编号 RoHS 状态 湿度敏感度(MSL) 现况 欧洲化学品管制中心 危险 标准软件包 产品状况 技术 权力 - 最大 配置 供应商设备包 断电( Max) FET 类型 电压-分解(V(BR)GSS) 排水到源电压( Vds) 当前 - 排水( Ids) @ Vds (Vgs=0) 输入能力( Ciss) (Max) @ Vds 抵抗 - RDS( On) 目前 - 连续排水( Id) @ 25°C 驱动电压( Max Rds On, Min Rds On) (马克斯语) @ Id, Vgs Vgs(th)(马克斯) @ Id 门充电 (Qg)(最大) @ Vgs Vgs (马克斯) FET 特性
SKY55951-11
SKY55951-11-WX
SPDT射频开关工作在2.4至8.3 GHz之间,用于宽带信号路径选择
  • 1+
    $ 2.7100
731
有货
规格书
onsemi 卷带(CT)和Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-PowerWDFN PowerTrench® FDPC8 符合RoHS3标准 1(无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 3,000 活跃的 MOSFET(金属氧化物场效应管) 800mW(Ta),900mW(Ta) 2 N沟道(双)非对称 Powerclip-33 - - - 25V - 1240pF @ 13V,4335pF @ 13V - 13A(Ta)、20A(Tc)、27A(Ta)、60A(Tc) - 6mOhm @ 13A, 10V,1.8mOhm @ 27A, 10V 2.2V @ 250µA,2.2V @ 1mA 19nC @ 10V,64nC @ 10V - -
SKY65313-21
SKY65313-21-WX
用于Sub-GHz ISM、Zigbee和LoRa收发器的900 MHz射频前端模块
  • 1+
    $ 2.7600
463
有货
规格书
onsemi 管子 -55°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 SuperFET® III NTP095 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 不适用于新设计 MOSFET(金属氧化物场效应管) - - TO-220-3 272W(Tc) N沟道 - 650 V - 2930 pF @ 400 V - 36A(Tc) 10V 95毫欧姆 @ 18安培,10伏 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V -
SKY65336-11
SKY65336-11-WX
2.4 GHz发射/接收前端模块IC,28针MCM,适用于WLAN应用
  • 1+
    $ 1.9700
195
有货
规格书
onsemi - -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 - NTP13N - 1(无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 过时的 MOSFET(金属氧化物场效应管) - - TO-220 64.7W(Tc) N沟道 - 100 V - 550 pF @ 25 V - 13A(Ta) 10V 165毫欧姆 @ 6.5安培,10伏 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -
SE5502L-R
SE5502L-R-WX
802.11n双通道前端模块,24-QFN,专为高密度无线平台设计
  • 1+
    $ 5.0200
837
有货
规格书
onsemi - -55°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 - NTP125 - 1 (无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 过时的 MOSFET(金属氧化物场效应管) - - TO-220 1.98W(Ta),113.6W(Tc) N沟道 - 24 V - 3440 pF @ 20 V - 15.9A(Ta) 4.5V, 10V 4.6毫欧姆 @ 20安培,10伏 2V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±20V -
SE2435L-R
SE2435L-R-WX
930 MHz ISM RF前端IC,24-QFN,用于远程工业物联网连接
  • 1+
    $ 2.5200
330
有货
规格书
onsemi 管子 -55°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 FRFET®, SuperFET® III NTP150 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 不适用于新设计 MOSFET(金属氧化物) - - TO-220-3 192W(Tc) N沟道 - 650 V - 1985 pF @ 400 V - 24A(Tc) 10V 150毫欧姆 @ 12安培,10伏特 5V @ 540µA 43 nC @ 10 V ±30V -
SE5511T-R
SE5511T-R-WX
802.11n前端模块,配备双低噪声放大器,28-QFN,适用于MIMO路由器
  • 1+
    $ 67.1100
938
有货
规格书
onsemi 散装 -55°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 FRFET®, SuperFET® III NTP110 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 不适用于新设计 MOSFET(金属氧化物场效应管) - - TO-220-3 240W(Tc) N沟道 - 650 V - 2635 pF @ 400 V - 30A(Tc) 10V 110毫欧姆 @ 15安培,10伏特 5V @ 740µA 62 nC @ 10 V ±30V -
SKY65338-21
SKY65338-21-WX
用于双向无线电和遥测系统的12-MCM封装的450-470MHz射频前端IC
  • 1+
    $ 31.4200
786
有货
规格书
onsemi - -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 - NTP13N 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 过时的 MOSFET(金属氧化物场效应管) - - TO-220 64.7W(Tc) N沟道 - 100 V - 550 pF @ 25 V - 13A(Ta) 10V 165毫欧姆 @ 6.5安培,10伏 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -
SKY65313-11
SKY65313-11-WX
915 MHz射频前端模块,28针MCM,用于ISM频段收发器应用
  • 1+
    $ 95.6600
665
有货
规格书
onsemi 散装 - - - * - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1,480 活跃的 - - - - - - - - - - - - - - - - - -
SE5516A-R
SE5516A-R-WX
802.11ac双频前端模块,集成LNA,可提高Wi-Fi接收器灵敏度
  • 1+
    $ 1.4200
179
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规格书
onsemi - -55°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 SuperFET® III - 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 不适用于新设计 MOSFET(金属氧化物场效应管) - - TO-220-3 171W(Tc) N沟道 - 650 V - 2200 pF @ 400 V - 24A(Tc) 10V 125毫欧姆 @ 12安培,10伏特 4V @ 2.1mA 44 nC @ 10 V ±30V -
SE5510T-R
SE5510T-R-WX
802.11n双频前端模块,28针QFN,集成LNA和PA
  • 1+
    $ 16.6200
362
有货
规格书
微芯科技 卷带与卷盘(TR) -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 3-SMD,无引脚 - - - - REACH 不受影响 - - 100 活跃的 - 360 mW - UB - N沟道 40 V 40 V 30 mA @ 20 V 16pF @ 20V 30欧姆 - - - - - - -
  • 1
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