防伪与缺陷预防
外观与包装检测
电气性能验证
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MP6910AGS-Z
电子料号
MP6910AGS-Z-WX
MP6910AGS-Z
产品描述
快速关断智能整流IC库存
473 件 全新原装现货
用于分布式工业系统的8-SOIC电源控制器；在恶劣环境中提供稳定的多轨调节和故障隔离。
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技术规格
类别
电源管理（PMIC）、热插拔控制器
制造商
Analog Devices股份有限公司。
包装
卷带（TR）
操作温度
-40°C ~ 85°C
挂载类型
表面贴装
软件包/ 大小写
10-TFSOP，10-MSOP（0.118英寸，宽度3.00毫米）
系列
-
特征
自动重试、故障超时、欠压锁定
基本产品编号
MAX5925
产品状况
活跃的
类型
热插拔控制器
内部开关
不
频道数
1.
目前 -- -- 供应
1.5 mA
当前 - 输出( 最大)
-
应用程序
通用
电压 - 供应
1V ~ 13.2V
供应商设备包
10-uMAX/uSOP
可编程特性
断路器，转换速率，开通电压
数据表文档( D)
数据表
下载MAX5925DEUB+T产品规格书（PDF）
HTML 数据表
MAX5925DEUB+T-DG
环境和出口分类
RoHS 状态
符合RoHS3标准
湿度敏感度(MSL)
1（无限制）
现况
REACH 不受影响
欧洲化学品管制中心
EAR99
危险
8542.31.0001
补充资料
标准软件包
2,500
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常见问题解答
MAX5925DEUB + 能够吗? 在12V型工业后飞机系统中安全使用T,其中冲刷电流必须受到严密控制以避免绊倒上游断路器,应如何配置断路器速率和断路器阈值以防止扰动断层?
是, MAX5925DEUB+号车 T由于宽1V-13.2V的供应范围以及可编程的定速控制,非常适合12V型工业机。 为了管理内刷电流,使用低Qg的外部N通道MOSFET,并通过SLEW针电阻器设定闸门驱动器的断速率,以便在转动时限制dV/dt——典型的1~5V/ms,用于1000μF以下的电容负载. 使用低值感应电阻(如10 m 的电阻)对断路器阈值进行组合,并调整CB pin 电阻器,使行程电流略高于峰值预期负载电流(如1.2× 稳态). 允许自动重试模式在不进行人工干预的情况下从瞬态超载中恢复,但保证MOSFET在断层条件下的热解,以避免累积应力.
更换MAX5925DEUB+的主要风险是什么? T与LTC4221或TI TPS2490等竞争热互换控制器在高可靠性的电信应用中,故障反应行为在持续超时条件下有何不同?
用LTC4221或TPS2490取代MAX5925DEUB+T,由于故障处理架构不同,引入了关键可靠性风险. MAX5925DEUB+T采用固定的断层超时,自动重试,这可能不适用于需要立即锁定超时的应用程序——不像TPS2490的可编程断层计时器和闸/自动重试选项。 LTC4221提供双通道控制和更高的集成,但缺乏MAX5925DEUB+. T的超低1.5mA quiescent电流, 影响对动力敏感的设计。 此外,MAX5925DEUB+项目 T的紫外线阈值是内部固定的,而竞争者则允许外部调整——在低压褐色情况下限制灵活性。 在替换前, 总是在您的特定负载配置中验证热性能和故障回收时间 .
MAX5925DEUB+如何进行 T在具有大容量电容( > 2000 μF)的热插件事件时表现,什么PCB布局做法对于防止由于地面反弹或感应线噪声而错误触发断路器至关重要?
在带有 > 2000 μF负载的热插件活动期间,MAX5925DEUB+ T依赖于其可编程命中率来限制刷流,但过量的电容能量仍然会导致电压的droop或地面反弹,从而错误地触发断路器. 为了缓解这种情况,使用开尔文连接将当前感应电阻器尽可能靠近IC的 SENSE+ 和 SENSE — 的针头,以及路由感应线从高di/dt路径(如闸门驱动或输入功率)中消失。 在装置下方使用坚固的地面平面,并在包件2毫米内用0.1μF陶瓷电容器将IN和VCC针进行脱钩. 避免在闸门驱动路径中出现长的环路以减少寄生素诱导,这会导致MOSFET转动振荡和错误的电流感知.
是MAX5925DEUB+吗? 适用于载荷倾卸转速达40V的12V型汽车系统,需要哪些外部组件来保护它免受超过13.2V最大评分的电压悬浮?
MAX5925DEUB+T没有被评为直接暴露于40V载荷倾卸瞬变器,将在没有外部保护的情况下受损. 要在汽车环境下使用它,要添加一个对IN和GND之间15V串联电压进行评级的TVS二极管(如SMAJ15A),以及一个串联的电流约束电阻器(如10,1W)和一个反极性保护的Schottky二极管. 或者使用前置调节器或eFuse前端(如MAX15091)来压制13.2V以下的输入电压. 确保 TVS 响应时间为 < 1 ns 以抑制快速瞬态. 如果没有这些保障措施,反复暴露于负荷堆放场将降低IC和折中系统的可靠性.
在部署MAX5925DEUB+时应考虑哪些长期可靠性问题 T在室外闭塞中,环境温度循环在-30°C至75°C之间,特别是在MOSFET选择和重复断层条件下的自动重试循环方面?
在具有宽温波动的室外环境中,MAX5925DEUB+ T的-40°C到85°C的操作范围是适当的,但长期可靠性取决于MOSFET的选择和热管理. 选择逻辑级的N-MOSFET,低RDS(on)在-30°C(如Infineon BSC010NE2LS),并确保其SOA覆盖冷温下的峰值断层流,其中RDS(on)下降但雪崩能量可能会增加. 在持续断层期间重复的自动重试周期,在MOSFET和PCB痕迹-监测器交叉温度中都会导致累积加热,并考虑增加热关闭机制或通过外部逻辑降低重试频率。 另外,在热循环下验证焊接器联合完整性;使用SAC305型焊接器,并避免在10uMAX套装下直接注入大铜,以防止页引发裂解.
MAX5925DEUB + 能够吗? 在12V型工业后飞机系统中安全使用T,其中冲刷电流必须受到严密控制以避免绊倒上游断路器,应如何配置断路器速率和断路器阈值以防止扰动断层?
是, MAX5925DEUB+号车 T由于宽1V-13.2V的供应范围以及可编程的定速控制,非常适合12V型工业机。 为了管理内刷电流,使用低Qg的外部N通道MOSFET,并通过SLEW针电阻器设定闸门驱动器的断速率,以便在转动时限制dV/dt——典型的1~5V/ms,用于1000μF以下的电容负载. 使用低值感应电阻(如10 m 的电阻)对断路器阈值进行组合,并调整CB pin 电阻器,使行程电流略高于峰值预期负载电流(如1.2× 稳态). 允许自动重试模式在不进行人工干预的情况下从瞬态超载中恢复,但保证MOSFET在断层条件下的热解,以避免累积应力.
更换MAX5925DEUB+的主要风险是什么? T与LTC4221或TI TPS2490等竞争热互换控制器在高可靠性的电信应用中,故障反应行为在持续超时条件下有何不同?
用LTC4221或TPS2490取代MAX5925DEUB+T,由于故障处理架构不同,引入了关键可靠性风险. MAX5925DEUB+T采用固定的断层超时,自动重试,这可能不适用于需要立即锁定超时的应用程序——不像TPS2490的可编程断层计时器和闸/自动重试选项。 LTC4221提供双通道控制和更高的集成,但缺乏MAX5925DEUB+. T的超低1.5mA quiescent电流, 影响对动力敏感的设计。 此外,MAX5925DEUB+项目 T的紫外线阈值是内部固定的,而竞争者则允许外部调整——在低压褐色情况下限制灵活性。 在替换前, 总是在您的特定负载配置中验证热性能和故障回收时间 .
MAX5925DEUB+如何进行 T在具有大容量电容( > 2000 μF)的热插件事件时表现,什么PCB布局做法对于防止由于地面反弹或感应线噪声而错误触发断路器至关重要?
在带有 > 2000 μF负载的热插件活动期间,MAX5925DEUB+ T依赖于其可编程命中率来限制刷流,但过量的电容能量仍然会导致电压的droop或地面反弹,从而错误地触发断路器. 为了缓解这种情况,使用开尔文连接将当前感应电阻器尽可能靠近IC的 SENSE+ 和 SENSE — 的针头,以及路由感应线从高di/dt路径(如闸门驱动或输入功率)中消失。 在装置下方使用坚固的地面平面,并在包件2毫米内用0.1μF陶瓷电容器将IN和VCC针进行脱钩. 避免在闸门驱动路径中出现长的环路以减少寄生素诱导,这会导致MOSFET转动振荡和错误的电流感知.
是MAX5925DEUB+吗? 适用于载荷倾卸转速达40V的12V型汽车系统,需要哪些外部组件来保护它免受超过13.2V最大评分的电压悬浮?
MAX5925DEUB+T没有被评为直接暴露于40V载荷倾卸瞬变器,将在没有外部保护的情况下受损. 要在汽车环境下使用它,要添加一个对IN和GND之间15V串联电压进行评级的TVS二极管(如SMAJ15A),以及一个串联的电流约束电阻器(如10,1W)和一个反极性保护的Schottky二极管. 或者使用前置调节器或eFuse前端(如MAX15091)来压制13.2V以下的输入电压. 确保 TVS 响应时间为 < 1 ns 以抑制快速瞬态. 如果没有这些保障措施,反复暴露于负荷堆放场将降低IC和折中系统的可靠性.
在部署MAX5925DEUB+时应考虑哪些长期可靠性问题 T在室外闭塞中,环境温度循环在-30°C至75°C之间,特别是在MOSFET选择和重复断层条件下的自动重试循环方面?
在具有宽温波动的室外环境中,MAX5925DEUB+ T的-40°C到85°C的操作范围是适当的,但长期可靠性取决于MOSFET的选择和热管理. 选择逻辑级的N-MOSFET,低RDS(on)在-30°C(如Infineon BSC010NE2LS),并确保其SOA覆盖冷温下的峰值断层流,其中RDS(on)下降但雪崩能量可能会增加. 在持续断层期间重复的自动重试周期,在MOSFET和PCB痕迹-监测器交叉温度中都会导致累积加热,并考虑增加热关闭机制或通过外部逻辑降低重试频率。 另外,在热循环下验证焊接器联合完整性;使用SAC305型焊接器,并避免在10uMAX套装下直接注入大铜,以防止页引发裂解.
质量保证 (QC)
WINSURE 通过专业检测和批次抽检确保每个电子元器件的质量和真伪，保证可靠采购、稳定性能并符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，放心在生产中使用元器件。
10月 10 2026
9月 21 2026
9月 15 2026
8月 28 2026
