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技术规格
类别
铁氧体磁珠和芯片
制造商
TDK
包装
-
操作温度
-40°C ~ 125°C
挂载类型
表面贴装
软件包/ 大小写
1210（3225公制）
系列
HF-ACB
产品状况
过时的
筛选类型
信号线
大小/ 尺寸
0.126英寸长 x 0.098英寸宽（3.20毫米 x 2.50毫米）
评分
-
高度( 最大)
0.059英寸（1.50毫米）
行数
1.
障碍@ 频率
60 欧姆 @ 100 兆赫
当前评分( 最大)
400mA
DC 抵抗运动(麦克斯)
300毫欧姆
数据表文档( D)
数据表
下载HF50ACB322513-T产品规格书（PDF）
HTML 数据表
HF50ACB322513-T-DG
环境和出口分类
RoHS 状态
符合RoHS3标准
湿度敏感度(MSL)
1（无限制）
现况
REACH 不受影响
欧洲化学品管制中心
EAR99
危险
8548.00.0000
补充资料
其他名称
445-6171-2 HF50ACB322513T 445-6171-1 445-6171-6 -HF50ACB322513
标准软件包
2,000
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常见问题解答
HF50ACB322513-T已经过时。对于新设计，具有60欧姆@100 MHz阻抗和400mA额定电流的直接替换选项是什么？
虽然TDK HF50ACB322513-T已经过时，但合适的替代品包括MMZ1608S800ATA00（尽管阻抗不同）或WLBD3225K2U600PP。对于100 MHz下的真正60欧姆压降，优先考虑CTCB1210F-600S或FB322513T-600Y-S-1。替换时，验证直流电阻（最大300 mOhm），以避免超过原始的400mA额定电流。请注意，TDK的后续系列通常使用不同的材料配方；如果使用MMZ1608，则重新计算100MHz以上的插入损耗，因为阻抗斜率可能相差高达20%，这可能会改变谐波敏感电路中的EMI衰减。
在3.3V电源线中用MMZ1608S800ATA00替换HF50ACB322513-T时，100 MHz和1 GHz的阻抗差如何影响传导发射合规性？
HF50ACB322513-T在100 MHz时提供60欧姆，而MMZ1608S800ATA00在100 MHz下提供80欧姆。低端阻抗增加33%可能会改善滤波，但也会因更高的串联电阻（DCR 300mOhm与典型的250mOhm相比）而增加电压降的风险。在1 GHz时，HF50ACB322513-T通常显示出较低的寄生电容，导致阻抗衰减比MMZ部分小。对于CE合规性，这意味着MMZ在高频谐波（>800 MHz）下可能表现不佳。如果您的噪声频谱超过500 MHz，请考虑添加一个小型分流电容器（10-100 pF）或选择具有更平坦高频响应的铁氧体，如FB322513T-600Y-S-1，以保持裕度。
我可以在350mA DC偏置的5V模拟信号路径中使用HF50ACB322513-T吗？阻抗会显著降低吗？
是的，您可以在350mA下使用HF50ACB322513-T，这低于其400mA额定值。然而，铁氧体磁珠表现出直流偏压依赖性：在350mA下，与零偏压条件相比，100 MHz下的有效阻抗可以下降10-30%。对于模拟信号路径，这可以不可预测地减少噪声滤波。为了减轻，要么超大到额定电流>600mA的焊道，要么表征阻抗偏移。如果您的信号完整性至关重要（例如ADC参考或音频），请考虑使用具有更平坦偏置响应的不同核心材料的WLBD3225K2U600PP，或使用HF50ACB322513-T，但在负载侧添加100nF电容器以抑制剩余纹波。
HF50ACB322513-T有300mOHm DCR最大. 在400mA的电力铁路中, 如果环境为85°C?
连续400mA时,HF50ACB322513-T型散射48mW(I2R). 在具有85°C环境且无气流的1210个包件中,气温上升约为10–15°C,部分保持在125°C的评级以下. 然而,如果板面布局的热降或相邻热源差,相交温度可超过125°C. 更为关键的是,在DCR max(300mOhm)附近运行,由于磁性收缩和核心损失,400mA加速衰老. 对于85°C+环境中的可靠性,将电流折射到320–350mA或选择一个低于150mOhm的DCR的珠. 另外,确保多氯联苯的垫子有足够的铜浇水作为热汇.
在收发器的电源引脚上使用HF50ACB322513-T时，我在高速差分对中看到了意外的共振。磁珠是否与去耦电容器相互作用？
是的，HF50ACB322513-T与所有铁氧体磁珠一样，与块状和局部去耦电容器形成LC谐振槽。如果磁珠的电感区（通常在10-100MHz以上）与0.1µF或1µF的电容器谐振，它会产生高阻抗峰值，放大特定频率（通常为20-80MHz）的噪声。对于为高速收发器（如USB、以太网）供电的电源引脚，这种谐振可能会导致EMI尖峰或信号抖动。为了抑制谐振，请在电容器上串联一个阻尼电阻器（1-5欧姆），或使用多级滤波器：HF50ACB322513-T，然后串联一个10µF的大容量电容器和一个0.1µF的1欧姆滤波器。或者，选择Q值较低（阻抗曲线较宽）的铁氧体，如BMC2EY0060AN，以避免峰值。
HF50ACB322513-T型机车已经过时. 新设计的可比较的60 Ohm @ 100 MHz阻塞和400mA当前评分的直接替换选项是什么?
虽然TDK HF50ACB322513-T型机车已经过时,但合适的替代品包括MMZ1608S800ATA00型机车(虽然阻力不同)或WLBD3225K2U600PP型机车. 对于真实的60 Ohm@100MHz落地,优先使用CTCB1210F-600S或FB322513T-600Y-S-1. 在替换时,验证DC阻力(300 mOHm max)以避免超过原先的400mA当前评分. 请注意,TDK的后继系列经常使用不同的材料配方;如果使用MMZ1608,则重新计算100MHz以上的插入损耗,因为阻力坡度可能会有高达20%的差异,从而有可能改变谐波敏感电路中的EMI衰减.
在3.3V电线中用MMZ1608S800ATA00取代HF50ACB322513-T时,100MHz和1GHz的阻滞差如何影响进行的排放遵守?
HF50ACB322513-T提供60Ohms@100MHz,而MMZ1608S800ATA00则提供80Ohms@100MHz. 低端阻力增加33%可能改善滤波,但也增加了由于序列阻力较高(DCR 300mOhm vs 250m Ohm 典型)而产生电压阻力的风险. 在1GHz时,HF50ACB322513-T一般显示寄生电容较低,导致阻力滚转比MMZ部分少. 对于CE达标,这意味着MMZ在高频谐波(>800MHz)时可能表现不佳. 如果您的噪声频谱超过500MHz,请考虑添加一个小的散射电容器(10–100 pF),或者选择像FB322513T-600Y-S-1那样带有奉承性高频响应的发酵器来保持边距.
我能在具有350mA DC偏差的5V模拟信号路径中使用HF50ACB322513-T,还是障碍会显著降解?
是的,可以在350mA时使用HF50ACB322513-T,低于其400mA的评级. 然而,果仁珠显示DC偏倚:在350mA时,与零比分条件相比,100MHz的有效阻力可以下降10-30%. 对于模拟信号路径来说,这可以不可预测地减少噪声过滤. 减轻影响,要么超大小为大于600m的一颗珠 对阻碍性转变的评级或定性。 如果你的信号完整性是关键的(如ADC参考或音频),则考虑使用WLBD3225K2U600PP,它使用不同的核心材料,带有奉承偏差反应,或者使用HF50ACB322513-T,但在负载侧增加一个100nF电容器来压制剩余的波纹.
HF50ACB322513-T有300mOHm DCR最大. 在400mA的电力铁路中, 如果环境为85°C?
连续400mA时,HF50ACB322513-T型散射48mW(I2R). 在具有85°C环境且无气流的1210个包件中,气温上升约为10–15°C,部分保持在125°C的评级以下. 然而,如果板面布局的热降或相邻热源差,相交温度可超过125°C. 更为关键的是,在DCR max(300mOhm)附近运行,由于磁性收缩和核心损失,400mA加速衰老. 对于85°C+环境中的可靠性,将电流折射到320–350mA或选择一个低于150mOhm的DCR的珠. 另外,确保多氯联苯的垫子有足够的铜浇水作为热汇.
使用HF50ACB322513-T在收发机电源针上时, 珠与脱钩电容器有相互作用吗?
是的,HF50ACB322513-T型机车与所有fer珠型机车一样,组成了带有散装和局部脱钩电容器的LC坦克. 如果珠的诱导区(通常高于10–100MHz)与0.1μF或1μF电容器产生共鸣,它可以产生一个高阻力峰,在特定频率上放大噪声,通常为20–80MHz. 对于供电高速收发器(如USB,以太网)的动力针,这种共振会导致EMI突起或信号颤抖. 为了抑制共振,与电容器一起加入一个阻塞器(1–5 Ohms),或者使用多级滤波器:HF50ACB322513-T,然后是一台10μF散装电容器和一台0.1μF连锁电容器. 或者,选择一个具有较低的Q(宽阻力曲线)如BMC2EY0060AN的fer,以避免峰值.
质量保证 (QC)
WINSURE 通过专业检测和批次抽检确保每个电子元器件的质量和真伪，保证可靠采购、稳定性能并符合技术规格，帮助客户降低供应链风险，放心在生产中使用元器件。
10月 10 2026
9月 21 2026
9月 15 2026
8月 28 2026
