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FDMS9620S

电子料号

FDMS9620S-WX

制造商

onsemi
FDMS9620S

产品描述

双N沟道MOSFET,30V,7.5A/10A,8MLP。

库存

380 件 全新原装现货
MOSFET阵列,8-MLP功率56,30V,7.5A/10A,1W;高效的双信道功率控制。
数量
最小起订 1

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技术规格

类别 晶体管,双极型(BJT),双极射频晶体管

制造商 onsemi

包装 -

操作温度 150°C(结温)

挂载类型 表面贴装

软件包/ 大小写 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

系列 -

基本产品编号 KST51

产品状况 过时的

增益 15dB

权力 - 最大 350mW

供应商设备包 SOT-23-3

电压 - 收集器分解( 最大) 12V

当前 - 收集器( Ic) (Max) 50mA

晶体管类型 NPN

DC 当前收益 (hFE)(明) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V

频率 - 过渡 900MHz

噪音图(dB Typ@f) 4.5dB @ 200MHz

数据表文档( D)

数据表 下载KST5179MTF产品规格书(PDF)

HTML 数据表 KST5179MTF-DG

环境和出口分类

湿度敏感度(MSL) 1(无限制)

现况 REACH 不受影响

欧洲化学品管制中心 EAR99

危险 8541.21.0075

补充资料

标准软件包 3,000

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常见问题解答

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鉴于KST5179MTF的过时状态,它仍然是新射频放大器设计的可行选择吗?在当今设计它的主要风险是什么?

KST5179MTF被onsemi标记为过时,这意味着它不再被推荐用于新设计,并可能面临未来的供应限制。虽然现有库存可能可用,但依赖它进行新生产会带来重大的长期可用性和生命周期风险。设计师应该将此视为可扩展或生命周期长的产品的危险信号。相反,评估BFP740H6327XTSA1或MAPRST0912-50等现代替代品,它们提供了类似或改进的射频性能、更好的支持和活跃的生产状态。如果您必须使用KST5179MTF实现传统兼容性,请确保终身购买并尽早验证第二来源选项,以降低过时风险。
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在900MHz低噪声放大器中,KST5179MTF可以安全地替换为MMBT5179,而无需重新设计匹配网络吗?

虽然MMBT5179是一种直接引脚兼容的替代品,并共享相同的基本NPN结构和SOT-23-3封装,但寄生效应、过渡频率(fT)和噪声系数的细微差异可能会影响900MHz的性能。KST5179MTF规定了200MHz时的典型噪声系数为4.5dB,fT为900MHz,但MMBT5179的高频行为并不总是与射频应用具有相同的水平。我们建议使用网络分析仪测量增益、噪声系数和稳定性,在您的实际电路中对替换件进行台架测试。可能需要对输入/输出匹配网络进行微调,以保持最佳性能,特别是在敏感的接收器前端。
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在紧凑的SOT-23-3软件包中运行接近其350mW最高评级的KST5179MTF时,热力和功率调节考虑是什么?

KST5179MTF的350mW功率评分在25°C环境上被指定,但在铜面积有限的现实世界SOT-23-3应用中,由于热散性差,交叉温度可以快速上升. 在标准PCB上,SOT-23的典型热阻力(RθJA)为~350–400°C/W,即使200mW的散射也能在中等环境温度下将TJ推近100°C. 为了避免热径流或长期可靠性问题,在大多数应用中将功率定值为200毫瓦,并确保与收集器垫连接的多氯联苯铜投入充足。 使用TJ = TA + (PD × RθJA) 监测 TJ,如果运行在50°C以上环境,则考虑空气流或热通道.
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对于868MHz ISM频段发射机,KST5179MTF与BFP740H6327XTSA1相比如何,特别是在增益稳定性和谐波性能方面?

与KST5179MTF相比,BFP740H6327XTSA1是868MHz发射机应用的首选。它提供了更高的增益(典型值为18-20dB对15dB)、更好的fT(2.5GHz对900MHz)和改进的线性度,从而转化为更清洁的谐波输出和更高的效率。KST5179MTF虽然功能正常,但在868MHz的频率极限附近运行,存在增益衰减和负载变化下潜在不稳定的风险。此外,BFP740还得到了工业射频设计的积极支持和认证。迁移到BFP740可以实现更严格的阻抗匹配、更低的驱动要求,并更好地符合频谱掩模法规,这在ISM频段部署中至关重要。
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尽管KST5179MTF的TJ额定值为150°C,但在接近125°C的高温环境中使用时,我应该考虑哪些可靠性问题?

尽管KST5179MTF的最高结温为150°C,但在接近这一极限的环境中运行,特别是在125°C的环境中,由于加速的电迁移和β退化,严重影响了长期可靠性。SOT-23-3封装提供了最小的热质量,因此即使是很小的功耗(例如100mW)也可以在不进行激进的热设计的情况下将TJ推到安全裕度之外。此外,长时间的高TJ操作会成倍地缩短平均故障时间(MTTF)。对于高温应用,要么显著降低功耗,实施主动冷却,要么迁移到更坚固的RF晶体管,如PH3135-5S,它更适合恶劣的环境。如果在100°C环境温度以上部署KST5179MTF,请务必进行热循环测试。
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KST5179MTF 鉴于其过时的状态,它仍然是新的RF放大器设计的可行选择吗? 今天设计它的主要风险是什么?

KST5179MTF被osemi标注为过时,这意味着它不再被推荐用于新的设计,并可能面临未来的供应限制. 尽管现有库存可能已经存在,但依靠库存进行新生产将带来巨大的长期可得性和生命周期风险。 设计者应当将此视为可伸缩或长寿命周期产品的红旗. 相反,评价BFP740H6327XTSA1或MAPRST0912-50等现代替代品,这些替代品提供相似或更好的RF性能,更好的支持,以及活跃的生产状态. 如果您必须使用 KST5179MTF 来进行遗留的兼容性, 请确保终身购买并提前验证第二源选项, 以减少陈旧的风险 .
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KST5179MTF在900MHz低噪声放大器中能否安全替换MMBT5179而无需重新设计匹配网络??

虽然MMBT5179是一种直接的和针兼容的替代品,并共享相同的NPN基本结构和SOT-23-3套件,但寄生虫,过渡频率(fT)和噪声数字的细微差异可能会影响900MHz的性能. KST5179MTF指定了4.5dB@200MHz和900MHz的fT的典型噪声数字,但MMBT5179的高频行为并不总是被定性为RF应用的相同水平. 我们建议用网络分析器测量增益、噪音和稳定性 来测试你实际电路的更换。 可能需要微调输入/输出匹配网络,以保持最佳性能,特别是在敏感的接收器前端.
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在紧凑的SOT-23-3软件包中运行接近其350mW最高评级的KST5179MTF时,热力和功率调节考虑是什么?

KST5179MTF的350mW功率评分在25°C环境上被指定,但在铜面积有限的现实世界SOT-23-3应用中,由于热散性差,交叉温度可以快速上升. 在标准PCB上,SOT-23的典型热阻力(RθJA)为~350–400°C/W,即使200mW的散射也能在中等环境温度下将TJ推近100°C. 为了避免热径流或长期可靠性问题,在大多数应用中将功率定值为200毫瓦,并确保与收集器垫连接的多氯联苯铜投入充足。 使用TJ = TA + (PD × RθJA) 监测 TJ,如果运行在50°C以上环境,则考虑空气流或热通道.
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KST5179MTF与868MHz ISM频段发射机的BFP740H6327XTSA1相比如何,特别是在获得稳定性和口琴性能方面?

BFP740H6327XTSA1与KST5179MTF相比,是868MHz发射机应用的上佳选择. 它提供更高的收益(Typ. 18–20dB vs. 15dB),更好的fT(2.5GHz vs. 900MHz),以及更好的线性,这可以转化为更清洁的口琴输出和更高的效率. KST5179MTF虽然可以运行,但在868MHz运行时更接近其频率限制,在负载变化下有增益滚滚和潜在不稳定的风险. 此外,BFP740在工业RF设计方面得到积极支持和合格。 迁移到BFP740允许更严格的阻力匹配,更低的驱动要求,以及更好地遵守光谱遮罩条例——在ISM波段部署中至关重要.
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在温度接近125°C的高温环境中使用KST5179MTF时,尽管其TJ评分为150°C,我应当考虑什么可靠性问题?

虽然KST5179MTF的最高交汇温度为150°C,但由于电迁移加速和β降解,其运行接近这一限度——特别是在125°C环境中——严重影响长期可靠性。 SOT-23-3包件提供最小的热量,因此即使是小功率散射(如100mW)也可以在没有主动热力设计的情况下将TJ推向安全边缘之外. 此外,长时间的高TJ操作使平均失败时间成倍减少。 对于高温应用,要么大幅降低功率消散,实施主动冷却,要么迁移到更坚固的RF晶体管上,如PH3135-5S,这在恶劣环境中的特征较好. 如果部署在100°C以上的KST5179MTF,则始终进行热循环试验.

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WINSURE 通过专业检测和批次抽检确保每个电子元器件的质量和真伪,保证可靠采购、稳定性能并符合技术规格,帮助客户降低供应链风险,放心在生产中使用元器件。

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防伪与缺陷预防

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