制造商 (2)
  • 恩智浦半导体
包装 (4)
  • -
  • 包
  • 卷带(CT)和Digi-Reel®
  • 卷带与卷盘(TR)
挂载类型 (2)
  • 底盘安装
  • 表面贴装
软件包/ 大小写 (6)
  • NI-1230-4S
  • NI-1230-4S GW
  • NI-780-4
  • NI-780S-4L
  • SOT-979A
  • TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)
系列 (1)
  • -
基本产品编号 (5)
  • MMRF1
  • MMRF1305
  • MMRF1308
  • MMRF1310
  • MMRF1312
RoHS 状态 (1)
  • 符合RoHS3标准
湿度敏感度(MSL) (3)
  • 1(无限制)
  • 3(168小时)
  • 不适用
现况 (2)
  • REACH 不受影响
  • 供应商未定义
欧洲化学品管制中心 (1)
  • EAR99
危险 (3)
  • 8541.21.0095
  • 8541.29.0075
  • 8541.29.0095
标准软件包 (2)
  • 1.
  • 50
产品状况 (2)
  • 活跃的
  • 过时的
当前评分( mps) (1)
  • -
电压 - 率 (3)
  • 112 V
  • 133 V
  • 50 V
增益 (5)
  • 19.6dB
  • 20dB
  • 25dB
  • 26.5dB
  • 26dB
电压 - 输出 (1)
  • 11V
频率 (5)
  • 1.034GHz
  • 1.03GHz
  • 230MHz
  • 470MHz ~ 860MHz
  • 512MHz
手册 (1)
  • MPC8343(E) 参考手册
技术 (1)
  • LDMOS
配置 (1)
  • 双重的
供应商设备包 (5)
  • NI-1230-4H
  • NI-1230-4S
  • NI-1230-4S GULL
  • NI-780-4
  • NI-780S-4L
电压 (1)
  • 40V
当前 - 测试 (1)
  • 100 mA
断电( Max) (1)
  • 300 mW
电源 - 输出 (5)
  • 1000W
  • 100W
  • 140W
  • 300W
  • 600W
噪声图 (1)
  • -
电压 - 偏移( Vt) (1)
  • 600 mV
当前 - 通往Anode 泄漏的大门( Igao) (1)
  • 10 nA
当前 - 河谷( Iv) (1)
  • 25 µA
现-峰 (1)
  • 150 nA
电压 - 测试 (1)
  • 50 V
10 相关产品
  • 1
料号
价格 (USD)
库存 规格书 RoHS 制造商 包装 挂载类型 软件包/ 大小写 系列 基本产品编号 RoHS 状态 湿度敏感度(MSL) 现况 欧洲化学品管制中心 危险 标准软件包 产品状况 当前评分( mps) 电压 - 率 增益 电压 - 输出 频率 手册 技术 配置 供应商设备包 电压 当前 - 测试 断电( Max) 电源 - 输出 噪声图 电压 - 偏移( Vt) 当前 - 通往Anode 泄漏的大门( Igao) 当前 - 河谷( Iv) 现-峰 电压 - 测试
LT5527EUF#TRPBF
LT5527EUF#TRPBF-WX
下变频混频器IC,400MHz-3.7GHz,16QFN。
  • 1+
    $ 8.5500
879
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带(CT)和Digi-Reel® 底盘安装 NI-780-4 - MMRF1310 符合RoHS3标准 1 (无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0075 50 活跃的 - 133 V 26.5dB - 230MHz MPC8343(E) 参考手册 LDMOS 双重的 NI-780-4 - 100 mA - 300W - - - - - 50 V
LT5579IUH#TRPBF
LT5579IUH#TRPBF-WX
混频器IC工作频率为1.5GHz至3.8GHz,24QFN。
  • 1+
    $ 8.2100
564
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带与卷盘(TR) 表面贴装 NI-1230-4S GW - MMRF1312 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 活跃的 - 112 V 19.6dB - 1.03GHz - LDMOS 双重的 NI-1230-4S GULL - 100 mA - 1000W - - - - - 50 V
LT5557EUF#TRPBF
LT5557EUF#TRPBF-WX
16QFN下变频混频器,适用于400MHz-3.8GHz信号。
  • 1+
    $ 10.5000
646
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带与卷盘(TR) 表面贴装 NI-780S-4L - MMRF1305 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0075 50 活跃的 - 133 V 26dB - 512MHz MPC8343(E) 参考手册 LDMOS 双重的 NI-780S-4L - 100 mA - 100W - - - - - 50 V
LT5578IUH#TRPBF
LT5578IUH#TRPBF-WX
上变频混频器,400MHz至2.7GHz,24QFN供电。
  • 1+
    $ 9.4200
556
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带(CT)和Digi-Reel® 底盘安装 SOT-979A - MMRF1312 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 活跃的 - 112 V 19.6dB - 1.03GHz - LDMOS 双重的 NI-1230-4H - 100 mA - 1000W - - - - - 50 V
LTC5510IUF#PBF
LTC5510IUF#PBF-WX
16QFN封装的高线性混频器IC。
  • 1+
    $ 37.1200
710
有货
规格书
恩智浦半导体 - 底盘安装 SOT-979A - MMRF1 符合RoHS3标准 3(168小时) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0075 50 过时的 - 50 V 20dB - 470MHz ~ 860MHz - LDMOS - NI-1230-4H - - - 140W - - - - - -
LT5560EDD#TRPBF
LT5560EDD#TRPBF-WX
跨越10kHz至4GHz、8DFN的双向混频器IC。
  • 1+
    $ 12.7400
999
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带和卷盘(TR) 表面贴装 NI-780S-4L - MMRF1310 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0075 50 活跃的 - 133 V 26.5dB - 230MHz MPC8343(E) 参考手册 LDMOS 双重的 NI-780S-4L - 100 mA - 300W - - - - - 50 V
LT5557EUF#PBF
LT5557EUF#PBF-WX
400MHz-3.8GHz下变频器混频器,16引脚QFN。
  • 1+
    $ 6.5200
761
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带(TR) 底盘安装 NI-780-4 - MMRF1305 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0075 50 活跃的 - 133 V 26dB - 512MHz MPC8343(E) 参考手册 LDMOS 双重的 NI-780-4 - 100 mA - 100W - - - - - 50 V
LT5578IUH#PBF
LT5578IUH#PBF-WX
24QFN封装的400MHz-2.7GHz上变频混频器IC。
  • 1+
    $ 15.1900
935
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带与卷盘(TR) 机箱安装 SOT-979A - MMRF1308 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0075 50 活跃的 - 133 V 25dB - 230MHz MPC8343(E) 参考手册 LDMOS 双重的 NI-1230-4H - 100 mA - 600W - - - - - 50 V
LT5560EDD#PBF
LT5560EDD#PBF-WX
用于10 kHz至4 GHz的8DFN封装的上/下混频器IC。
  • 1+
    $ 3.4100
971
有货
规格书
恩智浦半导体 卷带(CT)和Digi-Reel® 底盘安装 NI-1230-4S - MMRF1312 符合RoHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 50 活跃的 - 112 V 19.6dB - 1.034GHz - LDMOS 双重的 NI-1230-4S - 100 mA - 1000W - - - - - 50 V
LT5578IUH
LT5578IUH-WX
用于发射机链中精确信号电平测量的RF功率检测器IC
  • 1+
    $ 94.4900
583
有货
规格书
包 - TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA) - - 符合RoHS3标准 - 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1. 活跃的 - - - 11V - - - - - 40V - 300 mW - - 600 mV 10 nA 25 µA 150 nA -
  • 1
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