射频定向耦合器_专业产品分类供应商，工厂直供，价格优势

制造商 (4)

微芯科技
恩智浦半导体
安世半导体
onsemi

包装 (4)

-
散装
卷带与卷盘（TR）
管子

操作温度 (2)

-55°C ~ 150°C (TJ)
-65°C ~ 200°C (TJ)

挂载类型 (4)

底盘安装
表面贴装
表面贴装，可湿侧翼
通孔

软件包/ 大小写 (7)

3-SMD，无引脚
3-XDFN 裸露焊盘
NI-1230-4S
SC-101，SOT-883
SC-70, SOT-323
TO-220-3
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引脚

系列 (3)

-
SuperFET® III
SuperFET® V

状态 (1)

过时的

基本产品编号 (4)

2N6027
MMRF1
PDTA114
PDTA115

RoHS 状态 (2)

符合RoHS3标准
不符合RoHS标准

湿度敏感度(MSL) (2)

1（无限制）
不适用

现况 (1)

REACH 不受影响

欧洲化学品管制中心 (2)

EAR99
过时的

危险 (6)

0000.00.0000
8541.21.0075
8541.21.0095
8541.29.0075
8541.29.0095
8541.30.0080

标准软件包 (8)

1.
100
11,225
2,000
3,000
5,000
50
800

产品状况 (3)

活跃的
不适用于新设计
过时的

当前评分( mps) (1)

电压 - 率 (1)

133 V

增益 (1)

25dB

电压 - 输出 (1)

频率 (1)

230MHz

技术 (2)

LDMOS
MOSFET（金属氧化物）

权力 - 最大 (4)

200 mW
250 mW
300 mW
340 mW

配置 (1)

双重的

供应商设备包 (6)

DFN1006B-3
DFN1110D-3
NI-1230-4S
SOT-323
TO-220-3
UB

电压 (1)

职等 (2)

汽车
军事

资格 (3)

AEC-Q100
AEC-Q101
MIL-PRF-19500/295

当前 - 测试 (1)

100 mA

断电( Max) (3)

116W（Tc）
142W（Tc）
300 mW

电压 - 收集器分解( 最大) (1)

50 V

当前 - 收集器( Ic) (Max) (2)

100 mA
20 mA

电源 - 输出 (1)

600W

噪声图 (1)

电压 - 偏移( Vt) (1)

1.6 V

当前 - 通往Anode 泄漏的大门( Igao) (1)

10 nA

当前 - 河谷( Iv) (1)

50 µA

现-峰 (1)

2 µA

FET 类型 (2)

N沟道
P沟道

电压-分解(V(BR)GSS) (1)

30 V

排水到源电压( Vds) (2)

600 V
650 V

当前 - 排水( Ids) @ Vds (Vgs=0) (1)

1 mA @ 5 V

输入能力( Ciss) (Max) @ Vds (3)

10pF @ 5V
1350 pF @ 400 V
1808 pF @ 400 V

电压 - 截断( VGS 关闭) @ Id (1)

750 mV @ 1 µA

晶体管类型 (1)

PNP - 预偏置

抵抗器 - 基地(R1) (2)

10千欧姆
100千欧姆

抵抗器-发射基(R2) (2)

100千欧姆
47千欧姆

DC 当前收益 (hFE)(明) @ Ic, Vce (2)

100 @ 5mA, 5V
80 @ 5mA, 5V

Vce 饱和度( 最大) @ Ib, Ic (2)

100mV @ 250µA, 5mA
150mV @ 250µA, 5mA

当前 - 收集器截断( Max) (2)

100nA
1µA

频率 - 过渡 (1)

180 MHz

电压 - 测试 (1)

50 V

目前 - 连续排水( Id) @ 25°C (2)

15A（Tc）
19A（Tc）

驱动电压( Max Rds On, Min Rds On) (1)

(马克斯语) @ Id, Vgs (2)

165毫欧姆 @ 9.5安培，10伏
185毫欧姆 @ 7.5安培，10伏

Vgs(th)(马克斯) @ Id (2)

4.3V @ 1.4mA
4V @ 1.6mA

门充电 (Qg)(最大) @ Vgs (2)

25 nC @ 10 V
35 nC @ 10 V

Vgs (马克斯) (1)

±30V

FET 特性 (1)

10 相关产品

料号价格 (USD)	库存	规格书	制造商	包装	操作温度	挂载类型	软件包/ 大小写	系列	状态	基本产品编号	RoHS 状态	湿度敏感度(MSL)	现况	欧洲化学品管制中心	危险	标准软件包	产品状况	当前评分( mps)	电压 - 率	增益	电压 - 输出	频率	技术	权力 - 最大	配置	供应商设备包	电压	职等	资格	当前 - 测试	断电( Max)	电压 - 收集器分解( 最大)	当前 - 收集器( Ic) (Max)	电源 - 输出	噪声图	电压 - 偏移( Vt)	当前 - 通往Anode 泄漏的大门( Igao)	当前 - 河谷( Iv)	现-峰	FET 类型	电压-分解(V(BR)GSS)	排水到源电压( Vds)	当前 - 排水( Ids) @ Vds (Vgs=0)	输入能力( Ciss) (Max) @ Vds	电压 - 截断( VGS 关闭) @ Id	晶体管类型	抵抗器 - 基地(R1)	抵抗器-发射基(R2)	DC 当前收益 (hFE)(明) @ Ic, Vce	Vce 饱和度( 最大) @ Ib, Ic	当前 - 收集器截断( Max)	频率 - 过渡	电压 - 测试	目前 - 连续排水( Id) @ 25°C	驱动电压( Max Rds On, Min Rds On)	(马克斯语) @ Id, Vgs	Vgs(th)(马克斯) @ Id	门充电 (Qg)(最大) @ Vgs	Vgs (马克斯)	FET 特性
CP20020A-20-WX 用于下一代射频测试设备的超宽带耦合器，0.5-20GHz，20dB耦合 1+ $ 645.7800	743 有货	规格书	onsemi	管子	-55°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SuperFET® III	-	-	符合RoHS3标准	不适用	REACH 不受影响	EAR99	8541.29.0095	50	不适用于新设计	-	-	-	-	-	MOSFET（金属氧化物场效应管）	-	-	TO-220-3	-	-	-	-	142W（Tc）	-	-	-	-	-	-	-	-	N沟道	-	650 V	-	1808 pF @ 400 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	19A（Tc）	10V	165毫欧姆 @ 9.5安培，10伏	4V @ 1.6mA	35 nC @ 10 V	±30V	-
CP20118A-20-WX 20 dB定向耦合器，1-18 GHz，用于复杂系统中的精确射频信号采样 1+ $ 1351.7900	178 有货	规格书	onsemi	管子	-55°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SuperFET® V	-	-	符合RoHS3标准	不适用	REACH 不受影响	EAR99	8541.29.0095	800	不适用于新设计	-	-	-	-	-	MOSFET（金属氧化物）	-	-	TO-220-3	-	-	-	-	116W（Tc）	-	-	-	-	-	-	-	-	N沟道	-	600 V	-	1350 pF @ 400 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	15A（Tc）	10V	185毫欧姆 @ 7.5安培，10伏	4.3V @ 1.4mA	25 nC @ 10 V	±30V	-
CP20118A-10-WX 1-18GHz定向耦合器，10dB耦合，用于宽带微波应用 1+ $ 541.4400	716 有货	规格书	恩智浦半导体	-	-	底盘安装	NI-1230-4S	-	过时的	MMRF1	符合RoHS3标准	不适用	REACH 不受影响	EAR99	8541.29.0075	50	-	-	133 V	25dB	-	230MHz	LDMOS	-	双重的	NI-1230-4S	-	-	-	100 mA	-	-	-	600W	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	50 V	-	-	-	-	-	-	-
CP20008A-6-WX 6dB射频耦合器，0.5-8GHz带宽，信号分配网络紧凑型封装 1+ $ 487.3700	467 有货	规格书	安世半导体	卷带和卷盘（TR）	-	表面贴装	SC-70, SOT-323	-	-	PDTA114	符合RoHS3标准	1（无限制）	REACH 不受影响	EAR99	8541.21.0095	3,000	活跃的	-	-	-	-	-	-	200 mW	-	SOT-323	-	汽车	AEC-Q100	-	-	50 V	100 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	PNP - 预偏置	10千欧姆	47千欧姆	100 @ 5mA, 5V	100mV @ 250µA, 5mA	1µA	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CP20008A-20-WX 0.5-8GHz定向耦合器，20dB耦合，用于高功率处理的同轴设计 1+ $ 494.0400	206 有货	规格书	安世半导体	-	-	表面贴装	SC-70, SOT-323	-	-	PDTA114	符合RoHS3标准	1（无限制）	REACH 不受影响	过时的	0000.00.0000	1.	过时的	-	-	-	-	-	-	200 mW	-	SOT-323	-	汽车	AEC-Q101	-	-	50 V	100 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	PNP - 预偏置	10千欧姆	47千欧姆	100 @ 5mA, 5V	100mV @ 250µA, 5mA	1µA	180 MHz	-	-	-	-	-	-	-	-
CP20018P50-20-WX 0.5-18GHz射频耦合器，耦合20dB，适用于宽带通信系统 1+ $ 2366.1700	854 有货	规格书	恩智浦半导体	散装	-	表面贴装	SC-101，SOT-883	-	-	PDTA114	-	-	-	EAR99	8541.21.0075	11,225	活跃的	-	-	-	-	-	-	250 mW	-	DFN1006B-3	-	-	-	-	-	50 V	100 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	PNP - 预偏置	10千欧姆	47千欧姆	100 @ 5mA, 5V	100mV @ 250µA, 5mA	1µA	180 MHz	-	-	-	-	-	-	-	-
CP20018A-10-WX 宽带耦合器，0.5-18GHz，10dB耦合，用于射频功率监测和信号采样 1+ $ 1463.1800	688 有货	规格书	恩智浦半导体	散装	-	表面贴装	SC-101，SOT-883	-	-	PDTA115	符合RoHS3标准	1 （无限制）	REACH 不受影响	EAR99	8541.21.0075	11,225	活跃的	-	-	-	-	-	-	250 mW	-	DFN1006B-3	-	汽车	AEC-Q100	-	-	50 V	20 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	PNP - 预偏置	100千欧姆	100千欧姆	80 @ 5mA, 5V	150mV @ 250µA, 5mA	1µA	180 MHz	-	-	-	-	-	-	-	-
CP20710P150-20-WX 7-10 GHz定向耦合器，20 dB耦合，微波系统的高指向性 1+ $ 398.1400	862 有货	规格书	安世半导体	卷带与卷盘（TR）	-	表面贴装，可湿侧翼	3-XDFN 裸露焊盘	-	-	PDTA114	符合RoHS3标准	1（无限制）	REACH 不受影响	EAR99	8541.21.0075	5,000	活跃的	-	-	-	-	-	-	340 mW	-	DFN1110D-3	-	汽车	AEC-Q101	-	-	50 V	100 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	PNP - 预偏置	10千欧姆	47千欧姆	100 @ 5mA, 5V	100mV @ 250µA, 5mA	100nA	180 MHz	-	-	-	-	-	-	-	-
CP200408A-20-WX 射频定向耦合器，0.4-8GHz频率范围，20dB标称耦合值 1+ $ 1493.4700	208 有货	规格书	微芯科技	卷带与卷盘（TR）	-65°C ~ 200°C (TJ)	表面贴装	3-SMD，无引脚	-	-	-	-	-	REACH 不受影响	-	-	100	活跃的	-	-	-	-	-	-	300 mW	-	UB	-	军事	MIL-PRF-19500/295	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	P沟道	30 V	-	1 mA @ 5 V	10pF @ 5V	750 mV @ 1 µA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CP20018A-20-WX 用于测试和测量的0.5-18GHz、20dB宽带定向耦合器 1+ $ 1471.2500	59 有货	规格书	onsemi	-	-	-	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引脚	-	-	2N6027	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不受影响	EAR99	8541.30.0080	2,000	过时的	-	-	-	11V	-	-	-	-	-	40V	-	-	-	300 mW	-	-	-	-	1.6 V	10 nA	50 µA	2 µA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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