制造商 (4)
  • Central Semiconductor
  • Littelfuse
  • 微芯科技
  • 安世半导体
包装 (3)
  • -
  • 散装
  • 卷带与卷盘(TR)
操作温度 (3)
  • -55°C ~ 150°C (TJ)
  • -65°C ~ 200°C
  • -65°C ~ 200°C (TJ)
挂载类型 (2)
  • 表面贴装
  • 通孔
软件包/ 大小写 (5)
  • 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • TO-204AA, TO-3
  • TO-205AD、TO-39-3金属罐
  • TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)
  • TO-247-3
系列 (3)
  • -
  • HiPerFAST™
  • 军用,MIL-PRF-19500/466
基本产品编号 (7)
  • 2N5681
  • IXSH24
  • PUMH1
  • PUMH2
  • PUMH24
  • PUMH4
  • PUMH7
RoHS 状态 (2)
  • 符合ROHS3标准
  • 不符合RoHS标准
湿度敏感度(MSL) (2)
  • 1 (无限制)
  • 不适用
现况 (1)
  • REACH 不受影响
欧洲化学品管制中心 (1)
  • EAR99
危险 (3)
  • 8541.21.0075
  • 8541.21.0095
  • 8541.29.0095
标准软件包 (4)
  • 1.
  • 2,500
  • 3,000
  • 30
产品状况 (2)
  • 活跃的
  • 过时的
电压 - 输出 (1)
  • 6V
权力 - 最大 (4)
  • 1 W
  • 150 W
  • 300 W
  • 300mW
输入类型 (1)
  • 标准
供应商设备包 (4)
  • 6-TSSOP
  • TO-247AD
  • TO-3
  • TO-39
电压 (1)
  • 40V
职等 (2)
  • 汽车
  • 军事
资格 (2)
  • AEC-Q100
  • MIL-PRF-19500/583
断电( Max) (1)
  • 300 mW
测试条件 (1)
  • 480V,24A,10Ohm,15V
电压 - 收集器分解( 最大) (4)
  • 100 V
  • 50V
  • 60 V
  • 600 V
当前 - 收集器( Ic) (Max) (5)
  • 1 A
  • 100mA
  • 20mA
  • 48 A
  • 50 A
电压 - 偏移( Vt) (1)
  • 600 mV
当前 - 通往Anode 泄漏的大门( Igao) (1)
  • 10 nA
当前 - 河谷( Iv) (1)
  • 25 µA
现-峰 (1)
  • 150 nA
晶体管类型 (2)
  • 2 NPN - 预偏置(双)
  • NPN
抵抗器 - 基地(R1) (5)
  • 100kOhms
  • 10k欧姆
  • 22k欧姆
  • 4.7千欧姆
  • 47k欧姆
抵抗器-发射基(R2) (4)
  • -
  • 100kOhms
  • 22千欧姆
  • 47千欧姆
DC 当前收益 (hFE)(明) @ Ic, Vce (5)
  • 15 @ 25A, 2V
  • 200 @ 1mA, 5V
  • 40 @ 250mA, 2V
  • 60 @ 5mA, 5V
  • 80 @ 5mA, 5V
Vce 饱和度( 最大) @ Ib, Ic (5)
  • 100mV @ 250µA, 5mA
  • 150mV @ 250µA, 5mA
  • 150mV @ 500µA,10mA
  • 1V @ 50mA, 500mA
  • 5V @ 10A, 50A
当前 - 收集器截断( Max) (4)
  • 100nA
  • 10µA
  • 1µA
  • 5µA
频率 - 过渡 (2)
  • -
  • 230MHz
IGBT 类型 (1)
  • -
当前 - 收集器脉冲( Icm) (1)
  • 96 A
Vce(在) (Max) @ Vge, Ic (1)
  • 2.2V @ 15V,24A
切换能量 (1)
  • 2mJ(关闭状态)
门充电 (1)
  • 75 nC
Td(上/下) @ 25°C (1)
  • 100ns/450ns
反转恢复时间( trr) (1)
  • 50纳秒
10 相关产品
  • 1
料号
价格 (USD)
库存 规格书 RoHS 制造商 包装 操作温度 挂载类型 软件包/ 大小写 系列 基本产品编号 RoHS 状态 湿度敏感度(MSL) 现况 欧洲化学品管制中心 危险 标准软件包 产品状况 电压 - 输出 权力 - 最大 输入类型 供应商设备包 电压 职等 资格 断电( Max) 测试条件 电压 - 收集器分解( 最大) 当前 - 收集器( Ic) (Max) 电压 - 偏移( Vt) 当前 - 通往Anode 泄漏的大门( Igao) 当前 - 河谷( Iv) 现-峰 晶体管类型 抵抗器 - 基地(R1) 抵抗器-发射基(R2) DC 当前收益 (hFE)(明) @ Ic, Vce Vce 饱和度( 最大) @ Ib, Ic 当前 - 收集器截断( Max) 频率 - 过渡 IGBT 类型 当前 - 收集器脉冲( Icm) Vce(在) (Max) @ Vge, Ic 切换能量 门充电 Td(上/下) @ 25°C 反转恢复时间( trr)
MPF4392G
MPF4392G-WX
N沟道JFET 30V TO-92通孔晶体管
  • 1+
    $ 32.1900
347
有货
规格书
微芯科技 散装 -65°C ~ 200°C (TJ) 通孔 TO-204AA, TO-3 军用,MIL-PRF-19500/466 - 不符合RoHS标准 - REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 1. 活跃的 - 300 W - TO-3 - - - - - 60 V 50 A - - - - NPN - - 15 @ 25A, 2V 5V @ 10A, 50A 5µA - - - - - - - -
MMBFU310LT1G
MMBFU310LT1G-WX
N沟道JFET 25V SOT-23-3表面安装
  • 1+
    $ 0.3600
696
有货
规格书
微芯科技 散装 -65°C ~ 200°C 通孔 TO-205AD、TO-39-3金属罐 - 2N5681 不符合RoHS标准 - REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 1. 活跃的 - 1 W - TO-39 - 军事 MIL-PRF-19500/583 - - 100 V 1 A - - - - NPN - - 40 @ 250mA, 2V 1V @ 50mA, 500mA 10µA - - - - - - - -
MQ2N2609
MQ2N2609-WX
TO-18金属外壳中的P沟道JFET 30V
  • 1+
    $ 84.8400
711
有货
规格书
安世半导体 - - 表面贴装 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - PUMH2 符合RoHS3标准 1 (无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.21.0075 3,000 过时的 - 300mW - 6-TSSOP - - - - - 50V 100毫安 - - - - 2 NPN - 预偏置(双) 47k欧姆 47千欧姆 80 @ 5mA, 5V 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 230MHz - - - - - - -
MQ2N2608UB
MQ2N2608UB-WX
P沟道JFET开关,额定电压30V,UB封装
  • 1+
    $ 336.2500
952
有货
规格书
安世半导体 - - 表面贴装 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - PUMH1 符合RoHS3标准 1(无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.21.0075 3,000 过时的 - 300mW - 6-TSSOP - - - - - 50V 100毫安 - - - - 2 NPN - 预偏置(双) 22k欧姆 22千欧姆 60 @ 5mA, 5V 150mV @ 500µA, 10mA 100nA 230MHz - - - - - - -
MQ2N4092
MQ2N4092-WX
TO-18密封封装40V N沟道JFET
  • 1+
    $ 179.3700
350
有货
规格书
安世半导体 卷带与卷盘(TR) - 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 - PUMH7 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.21.0095 3,000 活跃的 - 300mW - 6-TSSOP - 汽车 AEC-Q100 - - 50V 100mA - - - - 2 NPN - 预偏置(双) 4.7千欧姆 - 200 @ 1mA, 5V 100mV @ 250µA, 5mA 1µA - - - - - - - -
MQ2N4091
MQ2N4091-WX
N沟道JFET,40V漏极源极,TO-18罐
  • 1+
    $ 175.2600
933
有货
规格书
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
MQ2N4091UB
MQ2N4091UB-WX
N沟道JFET晶体管,40V击穿,UB封装
  • 1+
    $ 201.6500
438
有货
规格书
安世半导体 卷带和卷盘(TR) - 表面贴装 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - PUMH4 符合RoHS3标准 1(无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.21.0095 3,000 活跃的 - 300mW - 6-TSSOP - 汽车 AEC-Q100 - - 50V 100mA - - - - 2 NPN - 预偏置(双) 10k欧姆 - 200 @ 1mA, 5V 150mV @ 500µA,10mA 1µA - - - - - - - -
MQ2N4092UB
MQ2N4092UB-WX
N沟道JFET,额定电压40V,UB封装。
  • 1+
    $ 200.5900
418
有货
规格书
安世半导体 卷带与卷盘(TR) - 表面贴装 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - PUMH24 符合ROHS3标准 1 (无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.21.0095 3,000 活跃的 - 300mW - 6-TSSOP - 汽车 AEC-Q100 - - 50V 20mA - - - - 2 NPN - 预偏置(双) 100kOhms 100kOhms 80 @ 5mA, 5V 150mV @ 250µA, 5mA 1µA - - - - - - - -
MQ2N2608UB/TR
MQ2N2608UB/TR-WX
P沟道JFET,30V,UB封装。
  • 1+
    $ 107.6000
531
有货
规格书
Central Semiconductor 散装 - - TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA) - - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不受影响 EAR99 8541.21.0095 2,500 活跃的 6V - - - 40V - - 300 mW - - - 600 mV 10 nA 25 µA 150 nA - - - - - - - - - - - - - -
MQ2N4091UB/TR
MQ2N4091UB/TR-WX
N沟道JFET,40V,UB封装。
  • 1+
    $ 201.1700
902
有货
规格书
Littelfuse - -55°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-247-3 HiPerFAST™ IXSH24 - 1 (无限制) REACH 不受影响 EAR99 8541.29.0095 30 过时的 - 150 W 标准 TO-247AD - - - - 480V,24A,10Ohm,15V 600 V 48 A - - - - - - - - - - - - 96 A 2.2V @ 15V,24A 2mJ(关闭状态) 75 nC 100ns/450ns 50纳秒
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